半導体製造プロセス 1日目
半導体製造プロセス 1日目
10時からスタート
１．ウェハ洗浄（簡易洗浄）
p形のシリコン(Si)ウェハ上にある有機物を洗い流す．
まず，表面をアセトンで脱脂．
イソプロピルアルコールを用いて疎水性のアセトンを洗浄後，
超純水での流水洗浄を行う．
２．LOCOS (Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ)準備
ウェハ表面の自然酸化膜を希フッ酸で除去した後，
下敷酸化膜をドライ酸化によって形成する．（下敷酸化膜の膜厚：40～45nm）
その後，LOCOS用マスクとなる窒化膜を体積する．（窒化膜の膜厚：100nm）
３．ｎウェル領域フォトワーク
ポジ形のフォトレジストを塗布し，ｎウェル領域のパターンニングを実施する．
その後，ドライエッチでｎウェル領域上の窒化膜をエッチングする．
４．ｎウェル領域イオン注入
ｎウェルとして31P+を150keVで注入する．
この工程４はまだ続きがあるが，今日はここで終了．
17時に終了．
今日の失敗：
フォトレジストを塗布する際におこった．
スピナーというシリコンウェハーを乗っけてぶん回す装置にシリコンウェハをピンセットでつまんで
乗せようとしたが，装置内に落ちた．
幸い，裏面がしたで落ちたので表面は大丈夫だった．
1．のウェハ洗浄を再度行うことで，なんとか問題解決．
10時からスタート
１．ウェハ洗浄（簡易洗浄）
p形のシリコン(Si)ウェハ上にある有機物を洗い流す．
まず，表面をアセトンで脱脂．
イソプロピルアルコールを用いて疎水性のアセトンを洗浄後，
超純水での流水洗浄を行う．
２．LOCOS (Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ)準備
ウェハ表面の自然酸化膜を希フッ酸で除去した後，
下敷酸化膜をドライ酸化によって形成する．（下敷酸化膜の膜厚：40～45nm）
その後，LOCOS用マスクとなる窒化膜を体積する．（窒化膜の膜厚：100nm）
３．ｎウェル領域フォトワーク
ポジ形のフォトレジストを塗布し，ｎウェル領域のパターンニングを実施する．
その後，ドライエッチでｎウェル領域上の窒化膜をエッチングする．
４．ｎウェル領域イオン注入
ｎウェルとして31P+を150keVで注入する．
この工程４はまだ続きがあるが，今日はここで終了．
17時に終了．
今日の失敗：
フォトレジストを塗布する際におこった．
スピナーというシリコンウェハーを乗っけてぶん回す装置にシリコンウェハをピンセットでつまんで
乗せようとしたが，装置内に落ちた．
幸い，裏面がしたで落ちたので表面は大丈夫だった．
1．のウェハ洗浄を再度行うことで，なんとか問題解決．
